Açıklama
Mutlak Maksimum Derecelendirmeler:
- Kollektör-Emitör Gerilimi (VCES): 1200V
- Kapı-Emitter Voltajı (VGES): ±20V
- Kollektör Sürekli Akımı (IC): 35A (Tc=25°C), 25A (Tc=80°C)
- 1ms Sürekli Akım Nabzı (ICP): 70A (Tc=25°C), 50A (Tc=80°C)
- Birakma Enerjisi (Eon): 50mJ
- Toplam Güç Dağılımı (PC): 180W
- Çalışma Sıcaklığı (TJ): -40 ila +150°C
- Depolama Sıcaklığı (Tstg): -40 ila +125°C
- Yalıtım Gerilimi (VISO): AC 2500V (1 dakika)
Elektriksel Özellikler:
- Sıfır Kapı Voltajında Toplayıcı Akımı: ≤ 1.0μA
- Kapı-Emitter Kaçak Akımı: ≤ 0.2mA
- Kapı-Emitter Eşik Gerilimi: 5.5V – 7.2V
- Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi: 8.5V
- Giriş Kapasitansı (Cies): ≤ 3000pF
- Çıkış Kapasitansı (Coes): ≤ 625pF
- Ters Transfer Kapasitansı (Cres): ≤ 550pF
- Açılış Zamanı (ton): 0.35μs – 1.2μs
- Kapanma Zamanı (toff): 0.25μs – 0.6μs
- Diyot İleri Voltajında: ≤ 0.1V
- Ters Kurtarma Süresi (trr): 0.45μs – 1.0μs
Isıl Direnç Özellikleri:
- Isıl Direnç (Rth(jc)): 0.69°C/W – 1.30°C/W (IGBT’nin soğutucunun tabanına)
- Isıl Direnç (Rth(case-to-sink)): 0.05°C/W (termal bileşikle ek soğutma kanadına monte edilmiş durum)
