Açıklama
FP50R12KT4, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (İzole Kapılı Bipolar Transistör) modülüdür. İşte genel özellikleri:
- Maksimum Kollektör-Emitör Gerilimi (VCES): 1200V
- Maksimum Kapı-Emitör Gerilimi (VGES): ±20V
- Maksimum Kollektör Akımı (IC):
- Tc=25°C: 75A
- Tc=80°C: 50A
- Maksimum Puls Akımı (ICP):
- Tc=25°C, 1ms süreyle: 150A
- Tc=80°C, 1ms süreyle: 110A
- Maksimum Güç Dağılımı (PC): 300W
- Çalışma Sıcaklığı (Tj): -40°C ile +150°C arası
- Depolama Sıcaklığı (Tstg): -40°C ile +125°C arası
- İzolasyon Gerilimi (Vdis): 2500V AC (1 dakika boyunca)
