Açıklama
IGBT MODÜLÜ, 1.2KV, 100A, SEMITRANS 2; M
IGBT Modülü; Transistör Tipi: IGBT; Sürekli Kollektör Akımı, Ic:100A; Kollektör Verici Doyma Gerilimi, Vce(sat):2,5V; Paket/Kutu:D61; CE Arıza Gerilimi: 1200V; Kolektör Verici Gerilimi, V(br)ceo:1,4V ;RoHS Uyumlu: Evet
yeni tasarım için önerilmez Özellikler: MOS girişi (voltaj kontrollü) N kanalı, Homojen Si Düşük endüktans durumu Düşük sıcaklık bağımlılığı ile çok düşük kuyruk akımı Yüksek kısa devre kapasitesi , kendi kendini sınırlayan 6 x I cnom Mandallama gerektirmeyen Hızlı ve yumuşak ters CAL diyotlar DCB Doğrudan Bakır Bağlama Teknolojisini kullanan izole bakır taban plakası Büyük boşluk (10 mm) ve kaçak mesafeleri (20 mm) Tipik Uygulamalar: AC invertör UPS’i çalıştırır
