Açıklama
IGBT yarım köprü SPT 1200(V) 180(A)
SEMIKRON güç modülü
GÜÇ IGBT TRANSİSTÖR
IGBT MODÜLÜ, İKİLİ, SPT, 1200V, 200A; Transistör Tipi: IGBT Modülü; Transistör Polaritesi: N; Gerilim, Vces:1200V; Akım Ic Sürekli a Maks:200A; Gerilim, Vce Sat Maks:2,35V; Kasa Stili: SEMITRANS 3; Sonlandırma Türü: Vida; Kollektörden Vericiye Arıza Gerilimi: 1200V; Akım Ic Sürekli b Maks:140A; Mevcut Ic av:200A; Mevcut Sıcaklık:25°C; Dış Derinlik: 61,4 mm; Dış Uzunluk / Yükseklik: 30,5 mm; Güz Zamanı, Tf:65ns; Sabitleme Merkezleri: 93mm; Sabitleme Deliği Çapı: 6,4 mm; Transistör Sayısı:2; Yükselme Süresi: 40ns; Genişlik, Dış:106,4 mm
