Açıklama
Transistör,igbt Güç Modülü,bağımsız,1.2Kv V(Br)Ces,200A I(C) |Semikron SKM 200 GAR 125 D
Trans IGBT Modülü N-CH 1.2KV 200A 5-Pin
SEMITRANS; 1200V; 200A | SEMIKRON SKM200GAR125D
Özellikler: N kanalı, homojen Si Düşük endüktanslı kasa Düşük sıcaklık bağımlı kısa kuyruk akımı Yüksek kısa devre kapasitesi, 6 x I cnom ile kendini sınırlama Hızlı ve yumuşak ters CAL diyotlar DCB Doğrudan Bakır Bağlama Teknolojisini kullanan izole bakır taban plakası Büyük açıklık (13 mm) ve kaçak mesafesi (20 mm) Tipik Uygulamalar: f sw > 20 kHz’de anahtarlamalı mod güç kaynakları 100 kHz’e kadar rezonans invertörler Endüktif ısıtma f sw > 20 kHz’de elektronik kaynakçılar
