Açıklama
IGBT, Güç; IGBT; 1200V; 200 A @ dereceC; 20V; 200 A @ 25 dereceC; 10 nF (Tip.)
IGBT MODÜLÜ, İKİLİ N CH, 1,2KV, 200A; Transistör Polaritesi: Çift N Kanalı; DC Kolektör Akımı: 200A; Kolektör Verici Doyma Gerilimi Vce(açık): 3,3V; Güç Tüketimi Pd: -; Kollektör Verici Gerilimi V(br)ceo: 1,2kV; Tra
Özellikleri: N kanalı, homojen Si Düşük endüktans durumu Düşük sıcaklık bağımlılığı ile kısa kuyruk akımı Yüksek kısa devre kapasitesi, 6 x I cnom ile kendini sınırlama Hızlı ve yumuşak ters CAL diyotlar DCB Doğrudan Bakır Bağlama Teknolojisini kullanan izole bakır taban plakası Büyük boşluk (13 mm) ) ve kaçak mesafesi (20 mm) Tipik Uygulamalar: f sw > 20 kHz’de anahtarlamalı mod güç kaynakları 100 kHz’e kadar rezonans invertörler Endüktif ısıtma f sw > 20 kHz’de elektronik kaynakçılar
