Açıklama
IGBT altılı paket standart 1200(V) 75(A)
IGBT MODÜLÜ, 1,2KV, 75A, SEMITRANS 6; Transistör Polaritesi: N Kanalı; DC Kolektör Akımı: 75A; Kollektör Verici Gerilimi Vces:1.2kV; Kollektör Verici Gerilimi V(br)ceo:1.2kV; Çalışma Sıcaklığı Aralığı:-40°C ila 150°C
IGBT Modülü; Transistör Tipi: IGBT; Transistör Polaritesi: N Kanalı; Sürekli Kollektör Akımı, Ic:75A; Kollektör Verici Doyma Gerilimi, Vce(sat):3V; Paket/Kutu:D67; Kolektör Emitör Gerilimi, V(br)ceo:1200V ;RoHS Uyumlu: Evet
yeni tasarım için önerilmez Özellikler: MOS girişi (voltaj kontrollü) N kanalı, homojen Si Düşük endüktans durumu Düşük sıcaklık bağımlılığı ile çok düşük kuyruk akımı Yüksek kısa devre kapasitesi, 6 x I cnom ile sınırlanan selt Mandallamasız Hızlı ve yumuşak ters Cal diyotlar DCB Doğrudan Bağlama Teknolojisini kullanan yalıtılmış bakır taban plakası Büyük açıklık (9 mm) ve kaçak mesafesi (13 mm) Tipik Uygulamalar: Anahtarlamalı mod güç kaynakları DC servo ve robot sürücüleri AC motor hız kontrolü için üç fazlı invertörler Anahtarlama (doğrusal kullanım için değil)
